Elektronik

Toyoda Gosei / Galliumnitrid

GaN-Substrate mit über 150 mm Durchmesser

Gemeinsam mit der Universität Osaka hat Toyoda Gosei Galliumnitrid-Substrate (GaN) für Leistungsbauelemente mit einem Durchmesser von 150 mm hergestellt. Ziel ist es, den Durchmesser noch weiter zu vergrößern.

ODU / Trends bei Steckverbindern

Digitalisierung treibt Innovation

Dadurch, dass die Digitalisierung weiter voranschreitet, wachsen auch die Ansprüche an...

APEC 2022

Power Integrations setzt neuen Maßstab für 240-W-Netzteile

Mit dem quasiresonanten PFC-IC HiperPFS-5 und dem LLC-Wandler-Chipsatz HiperLCS-2 hat...

Neue Möglichkeiten mit COM-HPC-Server

Grenzenlose Freiheit für Edge-Server

COM-HPC-Client-CoMs sind bereits seit Ende 2020 verfügbar, Congatec legt mit...

Schaltenergien bestimmen

Kalorimetrie bei SiC-MOSFETs nutzen

Um den Wirkungsgrad zu bestimmen und das Wärmemanagement zu dimensionieren, ist es...

Softwaretest

Vector Informatik erwirbt Gimpel Software

Mit der Übernahme von Gimpel Software erweitert Vector Informatik sein Angebot im...

Wireless 2022 und darüber hinaus

Offen, skalierbar, privat, effizient, innovativ, intelligent

Der 19. Wireless Congress: Systems & Applications findet am 16. und 17. November 2022...

Microchip verlost In-Circuit Debugger

MPLAB ICD 4 zu gewinnen

Microchip und Elektronik verlosen einen MPLAB ICD 4 In-Circuit Debugger (DV164045)....

Chalmers University

Hochleitfähiges Graphen kostengünstig herstellen

Graphen mit einer hohen Ladungsträgermobilität herzustellen, ist komplex und daher...

Batterie und Kondensator

Das Beste aus beiden Welten miteinander verbinden

Superkondensatoren und Batterien sind Energiespeichertypen mit unterschiedlichen...